3.5.1 w800的flash读写操作

本例仍然使用demo固件

确保宏定义DEMO_FLASH已经打开，在头文件wm_demo.h中设置，如下：

#define DEMO_CONSOLE                DEMO_ON

#define DEMO_FLASH                  (DEMO_ON && DEMO_CONSOLE)

固件运行后发送串口命令：t-flash()即可运行flash读写功能，运行后输出“success”则表示读取flash成功。

读写功能代码位于文件wm_flash_demo.c中，代码片段如下：

#define TEST_FLASH_BUF_SIZE    4000

int flash_demo(void)
{
    u8 *write_buf = NULL;
    u8 *read_buf = NULL;
    u16 i;

    tls_fls_init();                                 //initialize flash driver

    write_buf = tls_mem_alloc(TEST_FLASH_BUF_SIZE); //写入数据缓存
    if (NULL == write_buf)
    {
        printf("\nmalloc write buf error\n");
        return WM_FAILED;
    }

    for (i = 0; i < TEST_FLASH_BUF_SIZE; i ++)
    {
        write_buf[i] = i + 1; //初始化写入数据
    }

    tls_fls_write(0x1F0303, write_buf, 1247);           /**verifying cross sector writing*/
    tls_fls_write(0x1F0303 + 1247, write_buf + 1247, 2571);
    tls_fls_write(0x1F0303 + 1247 + 2571, write_buf + 1247 + 2571, 182); //缓存数据写入flash

    read_buf = tls_mem_alloc(TEST_FLASH_BUF_SIZE); //申请读取flash的缓存
    if (NULL == read_buf)
    {
        printf("\nmalloc read buf error\n");
        tls_mem_free(write_buf);
        return WM_FAILED;
    }
    memset(read_buf, 0, TEST_FLASH_BUF_SIZE);
    tls_fls_read(0x1F0303, read_buf, TEST_FLASH_BUF_SIZE); //从之前写入数据的首地址0x1F0303开始读取TEST_FLASH_BUF_SIZE大小的数据到读取缓存中

    if (0 == memcmp(write_buf, read_buf, TEST_FLASH_BUF_SIZE))
    {
        printf("\nsuccess\n"); //比较读取缓存和写入缓存的数据，如果读出的数据和写入数据一致，则输出“success”
    }
    else
    {
        printf("\nfail\n");
    }

    tls_mem_free(write_buf);
    tls_mem_free(read_buf);

    return WM_SUCCESS;
}

根据上面注释的分析可以看出，当读取的数据与写入的数据一致时串口输出“success”

flash读写主要用到sdk中的两个接口：tls_fls_read以及tls_fls_write

读flash函数原型为：int tls_fls_read(u32 addr, u8 *buf, u32 len)，第一个参数是读取起始地址，第二个是读取缓存地址，第三个是读取长度

写flash函数原型为：int tls_fls_write(u32 addr, u8 *buf, u32 len)，第一个参数是写入起始地址，第二个是写入数据缓存地址，第三个是写入长度